На пыльном полу для печати с использованием офсетных пластин основной проблемой является загрязнение рефлектора. Это приводит к снижению интенсивности излучения и ухудшению качества отверждения материала. Чтобы избежать этого, необходимо снизить скорость работы оборудования.
Мы разработали УФ-лампу на галии, в которой используется полностью закрытый рефлектор с высоким коэффициентом отражения. Идея проста: поддерживать чистоту оптического пути и стабильность температуры.
Лампа работает на основе дуги с добавлением галия, что обеспечивает стабильный спектр излучения без содержания озона. Длина волны излучения соответствует длине волны фотоинициаторов, используемых в большинстве офсетных пластин. Плотность энергии остается постоянной на всей длине дуги, а ширина спектра — небольшой. Это снижает нагрев поверхности пластины, при этом процесс отверждения продолжается.
Рефлектор имеет дихроичное покрытие, оптимизированное для диапазона 380–420 нм; он сохраняет коэффициент отражения более 85% даже после длительного воздействия пыли. Закрытый корпус предотвращает попадание пыли и защищает поверхность зеркала, что позволяет сохранять указанные параметры излучения.
Это важно на практике: в помещении с пылью закрытый рефлектор предотвращает превращение зеркала в источник тепла. Температура излучения остается стабильной, колебания между лампами минимальны, что позволяет выполнять более длительные циклы печати без снижения качества отверждения.
Менее частая необходимость в очистке. Меньше энергии расходуется на одну пластину. Качество отверждения остается стабильным на протяжении всего процесса печати.
Примечания по установке: закрытый рефлектор увеличивает размеры устройства. Необходимо учитывать расстояние до цилиндра с пластинами и кронштейнов для крепления лампы. Также необходимо учитывать пределы температуры рефлектора в соответствии с характеристиками системы охлаждения оборудования.
Необходимо соответствовать лампа мощности и типу разъема существующей UV-системы. При запуске необходимо использовать спектральный радиометр для определения необходимого уровня излучения.